| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
ISCN31N bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ISCN31N bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 2 isc Silicon NPN Power Transistor ISCN31N ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP. MAX UNIT V(BR)CEO Collector-Emitter Breakdown Voltage IC= 30mA ; IB= 0 150 V VCE(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage IC= 3A; IB= 0.3A 0.5 V VBE(sat) Base-Emitter Saturation Voltage IC= 3A; IB= 0.3A 1.2 V ICBO Collector Cutoff Current VCB= 200V; IE= 0 100 μ A IEBO Emitter Cutoff Current VEB= 8V; IC= 0 100 μ A hFE DC Current Gain IC= 3A ; VCE= 4V 70 220 fT Current-Gain—Bandwidth Product IE= 0.5A ; VCE= 12V 30 MHz COB Output Capacitance IE=0 ; VCB=10V;ftest=1.0MHz 110 pF |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |