| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
IPB019N06L3 bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
IPB019N06L3 bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
2 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 2 isc N-Channel MOSFET Transistor IPB019N06L3 ELECTRICAL CHARACTERISTICS TC=25℃ unless otherwise specified SYMBOL PARAMETER CONDITIONS MIN TYP MAX UNIT BVDSS Drain-Source Breakdown Voltage VGS=0V; ID=1mA 60 V VGS(th) Gate Threshold Voltage VDS=VGS; ID=0.196mA 1.2 2.2 V RDS(on) Drain-Source On-Resistance VGS= 10V; ID=100A 1.6 1.9 mΩ IGSS Gate-Source Leakage Current VGS=±20V;VDS= 0V ± 0.1 μ A IDSS Drain-Source Leakage Current VDS=60V; VGS= 0V;Tc=25℃ VDS=60V; VGS= 0V; Tc=125℃ 3 300 μ A VSDF Diode forward voltage ISD=100A, VGS = 0 V 0.9 1.2 V |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |