SSD20N06 datasheet(1/4 Pages) SECOS

tên linh kiện	SSD20N06

Giải thích chi tiết về linh kiện	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

PDF	4 Pages

Scroll/Zoom	100%

nhà sản xuất	SECOS [SeCoS Halbleitertechnologie GmbH]

Trang chủ	http://www.secosgmbh.com

Logo

1 / 4 page

Elektronische Bauelemente

SSD20 06

20A , 60V , RDS(O ) 40m

-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

19-Jul-2017 Rev. A

Page 1 of 4

http://www.SeCoSGmbH.com/

Any changes of specification will not be informed individually.

A

C

D

N

O

P

G E

F

H

K

J

M

B

TO-252(D-Pack)

20N06

RoHS Compliant Product

A suffix of “-C” specifies halogen free

DESCRIPTION

The SSD20N06 is the highest performance trench

N-ch MOSFETs with extreme high cell density , which provide

excellent RDS(on) and gate charge for most of the synchronous

buck converter applications.

The SSD20N06 meet the RoHS and Green Product

requirement with full function reliability approved.

FEATURES

Advanced high cell density Trench technology

Super Low Gate Charge

Green Device Available

MARKING

PACKAGE INFORMATION

Package

MPQ

Leader Size

TO-252

2.5K

13 inch

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

Parameter

Symbol

Rating

Unit

Drain-Source Voltage

VDS

60

V

Gate-Source Voltage

VGS

±20

V

TC=25°C

20

A

TC=100°C

13

A

TA=25°C

5

A

Continuous Drain Current @VGS=10V

1

TA=70°C

ID

4

A

Pulsed Drain Current

3

IDM

40

A

TC=25°C

31.3

Total Power Dissipation

TA=25°C

PD

2

W

Operating Junction and Storage Temperature Range

TJ, TSTG

-55~150

°C

Thermal Resistance Rating

Maximum Thermal Resistance Junction-Ambient

1

62.5

Maximum Thermal Resistance Junction-Ambient

2

RθJA

110

Maximum Thermal Resistance Junction-Case

1

RθJC

4

°C / W

1

Gate

3

Source

2

Drain

Date Code

Millimeter

REF.

Min.

Max.

REF.

Min.

Max.

A

6.35

6.9

J

2.3 REF.

B

4.95

5.53

K

0.89 REF.

C

2.1

2.5

M

0.45

1.14

D

0.41

0.9

N

1.55 Typ.

E

6

7.5

O

0

0.13

F

2.90 REF

P

0.58 REF.

G

5.4

6.4

H

0.6

1.2

Số phần tương tự - SSD20N06

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
SeCoS Halbleitertechnol...	SSD20N06-90D	401Kb / 4P	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
SHENZHEN DOINGTER SEMIC...	SSD20N06-90D	674Kb / 5P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
VBsemi Electronics Co.,...	SSD20N06-90D	899Kb / 6P	N-Channel 6 0-V (D-S) MOSFET
SeCoS Halbleitertechnol...	SSD20N06	401Kb / 4P	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

More results

Mô tả tương tự - SSD20N06

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
SeCoS Halbleitertechnol...	SMG2310A	906Kb / 3P	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
	SMS6001	662Kb / 4P	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
	SSM01N60SL	557Kb / 5P	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
	SSRF03N80SL	600Kb / 5P	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
	SSD20N10-130D	538Kb / 4P	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
	SSE04N65SL	557Kb / 5P	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
	SSRF02N65SL	577Kb / 5P	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
	SSRF08N70SL	472Kb / 5P	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
	SSU07N65SL	568Kb / 5P	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET
	SSPS924NE	630Kb / 4P	N-Ch Enhancement Mode Power MOSFET

More results

SSD20N06 bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

SSD20N06 bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - SeCoS Halbleitertechnologie GmbH

Số phần tương tự - SSD20N06

Mô tả tương tự - SSD20N06

Html Pages

1 2 3 4

bảng dữ liệu tải về

Link URL