| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
3DD100B bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
3DD100B bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc Product Specification isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 1 isc Silicon NPN Power Transistor 3DD100B DESCRIPTION · With TO-66 packaging · Large collector current · Low collector saturation voltage · High power dissipation · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS · Designed for use in DC-DC converter · Driver of solenoid or motor ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth j-c Thermal Resistance,Junction to Case 5.0 ℃ /W SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VCBO Collector-Base Voltage 200 V VCEO Collector-Emitter Voltage 150 V VEBO Emitter-Base Voltage 4 V IC Collector Current-Continuous 1.5 A PD Total Power Dissipation@TC=75℃ 20 W TJ Max.Junction Temperature 175 ℃ Tstg Storage Temperature -55~175 ℃ |
Số phần tương tự - 3DD100B |
|
Mô tả tương tự - 3DD100B |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |