 |
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
|
công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
ACE13417B bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ACE13417B bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
|
1 / 7 page  ACE13417B P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET VER 1.1 1 Description The ACE13417B uses advanced trench technology to provide excellent RDS, low gate charge and operation with gate voltages as low as 2.5V.This device is suitable for use as a load switch or in PWM applications. Features VDS (V) = -20V,ID = -4.9A RDS(ON)=34m Ω @ VGS= -4.5V RDS(ON) =42mΩ @ VGS= -2.5V Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Max Unit Drain-Source Voltage VDSS -20 V Gate-Source Voltage VGSS ±12 V Drain Current (Continuous) TA=25℃ ID -4.9 A TA=70℃ -3.9 Drain Current (Pulsed) IDM -19.7 A Power Dissipation TA=25℃ PD 1.6 W Operating temperature / storage temperature TJ/TSTG -55~150 ℃ Packaging Type SOT-23-3 Pin Configurations SOT-23-3 Description Function 1 G Gate 2 S Source 3 D Drain |
Số phần tương tự - ACE13417B |
|
Mô tả tương tự - ACE13417B |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |
Vietnamese ▼
English
Chinese
German
Japanese
Russian
Korean
Spanish
French
Italian
Portuguese
Polish
Vietnamese
Indian
Mexican
British
New Zealand
