| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
TST30H100CW bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
TST30H100CW bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.com isc & iscsemi is registered trademark 1 Schottky Barrier Rectifier TST30H100CW FEATURES · Plastic material used carriers Underwriter Laboratory · Metal silicon junction, majority carrier conduction · Low Power Loss,high Efficiency · Guard ring for overvoltage protection · High Surge Capability,High Current Capability · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation APPLICATIONS · For use in low voltage,high frequency inverters,free wheeling and polarity protection applications. ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VRRM VRWM VR Peak Repetitive Reverse Voltage Working Peak Reverse Voltage DC Blocking Voltage 100 V IF(AV) Average Rectified per devics Forward Current per diode 30 15 A IFSM Nonrepetitive Peak Surge Current 8.3ms single half sine-wave superimposed on rated load conditions 200 A TJ Junction Temperature -55~150 ℃ Tstg Storage Temperature Range -55~150 ℃ |
Số phần tương tự - TST30H100CW |
|
Mô tả tương tự - TST30H100CW |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |