| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
MMF80R1K2PBTH bảng dữ liệu(PDF) 2 Page - MagnaChip Semiconductor. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
MMF80R1K2PBTH bảng dữ liệu(HTML) 2 Page - MagnaChip Semiconductor. |
|
2 / 10 page ![]() MMF80R1K2PB Datasheet Jan. 2018 Revision 1.0 MagnaChip Semiconductor Ltd. 3 Parameter Symbol Rating Unit Note Drain – Source voltage VDSS 800 V Gate – Source voltage VGSS ±30 V Continuous drain current (1) ID 4.5 A TC=25 oC 2.85 A TC=100 oC Pulsed drain current (2) IDM 13.5 A Power dissipation PD 28.4 W Single - pulse avalanche energy EAS 170 mJ MOSFET dv/dt ruggedness dv/dt 50 V/ns Diode dv/dt ruggedness (3) dv/dt 15 V/ns Storage temperature Tstg -55 ~150 oC Maximum operating junction temperature Tj 150 oC 1) ID limited by maximum junction temperature. 2) Pulse width tP limited by Tj,max 3) ISD ≤ ID, VDS peak ≤ V(BR)DSS Parameter Symbol Value Unit Thermal resistance, junction-case max Rthjc 4.4 oC/W Thermal resistance, junction-ambient max Rthja 62.5 oC/W Thermal Characteristics Absolute Maximum Rating (Tc=25oC unless otherwise specified) |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |