| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
BFP196WN bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - Infineon Technologies AG |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
BFP196WN bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - Infineon Technologies AG |
|
4 / 19 page ![]() 2 Thermal characteristics Table 2 Thermal resistance Parameter Symbol Values Unit Note or Test Condition Min. Typ. Max. Junction - soldering point RthJS – 115 – K/W 1) Figure 1 Absolute maximum power dissipation Ptot vs. Ts Note: In the horizontal part of the above curve the junction temperature TJ is lower than TJ,max. In the declining slope it is TJ = TJ,max. Ptot has to be reduced according to the curve in order not to exceed TJ,max. It is TJ,max = TS + Ptot * RTHJS. 1 For the definition of RthJS please refer to the application note AN077 BFP196WN Low noise silicon bipolar RF transistor Thermal characteristics Preliminary datasheet 4 Revision 1.0 2017-01-20 |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |