| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
SPP80P06P bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
SPP80P06P bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - Inchange Semiconductor Company Limited |
|
1 / 2 page ![]() INCHANGE Semiconductor isc website:www.iscsemi.cn isc & iscsemi is registered trademark 1 isc P-Channel MOSFET Transistor SPP80P06P,ISPP80P06P · FEATURES · Static drain-source on-resistance: RDS(on)≤0.023Ω · Enhancement mode: · 100% avalanche tested · Minimum Lot-to-Lot variations for robust device performance and reliable operation · DESCRIPTION · 175℃ operating temperature · Avalanche rated · dv/dt rated · ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃) SYMBOL PARAMETER VALUE UNIT VDSS Drain-Source Voltage -60 V VGS Gate-Source Voltage ± 20 V ID Drain Current-Continuous -80 A IDM Drain Current-Single Pulsed -320 A PD Total Dissipation @TC=25℃ 340 W Tj Max. Operating Junction Temperature 175 ℃ Tstg Storage Temperature -55~175 ℃ · THERMAL CHARACTERISTICS SYMBOL PARAMETER MAX UNIT Rth(j-c) Channel-to-case thermal resistance 0.4 ℃ /W Rth(j-a) Channel-to-ambient thermal resistance 62 ℃ /W |
Số phần tương tự - SPP80P06P |
|
Mô tả tương tự - SPP80P06P |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |