| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
AP15P10GI bảng dữ liệu(PDF) 4 Page - Advanced Power Electronics Corp. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
AP15P10GI bảng dữ liệu(HTML) 4 Page - Advanced Power Electronics Corp. |
|
4 / 6 page ![]() AP15P10GI Fig 7. Gate Charge Characteristics Fig 8. Typical Capacitance Characteristics Fig 9. Maximum Safe Operating Area Fig 10. Effective Transient Thermal Impedance Fig 11. Transfer Characteristics Fig 12. Gate Charge Waveform 4 Q VG -10V QGS QGD QG Charge 0.01 0.1 1 10 100 1 10 100 1000 -V DS , Drain-to-Source Voltage (V) 100us 1ms 10ms 100ms DC T C =25 o C Single Pulse 0 2 4 6 8 10 12 0 1020304050 Q G , Total Gate Charge (nC) I D = -6A V DS = -80V 10 100 1000 10000 1 5 9 131721 2529 -V DS , Drain-to-Source Voltage (V) f=1.0MHz C iss C oss C rss 0 2 4 6 8 10 02468 -V GS , Gate-to-Source Voltage (V) T j =150 o C T j =25 o C V DS = -10V T j = -55 o C 0.001 0.01 0.1 1 0.00001 0.0001 0.001 0.01 0.1 1 10 t , Pulse Width (s) PDM Duty factor = t/T Peak Tj = PDM x Rthjc + TC t T 0.02 0.01 0.05 0.1 0.2 Duty factor=0.5 Single Pulse Operation in this area limited by RDS(ON) . |
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |