| công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử |
|
ACE5807B bảng dữ liệu(PDF) 1 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
|
|||||||||||||||||||||||||||||
ACE5807B bảng dữ liệu(HTML) 1 Page - ACE Technology Co., LTD. |
|
1 / 6 page ![]() ACE5807B P-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor VER 1.2 1 Description The ACE5807B combines advanced trench MOSFET technology with a low resistance package to provide extremely low RDS(ON). This device is ideal for load switch and battery protection applications. Standard Product ACE5807B is Pb-free. Features VDS (V) = -12V ID= -16A RDS(ON) < 18m Ω (V GS = -4.5V) < 22 mΩ (V GS = -2.5V) DFN2x2-6L Package Absolute Maximum Ratings Parameter Symbol Max Unit Drain-Source Voltage VDSS -12 V Gate-Source Voltage VGSS ±10 V Drain Current (Continuous) TA=25℃ ID -16 A TA=70℃ -13 Drain Current (Pulsed) IDM -65 A Power Dissipation TA=25℃ PD 18 W TA=70℃ 9 Operating temperature / storage temperature TJ/TSTG -55~150 ℃ Packaging Type DFN2*2-6L Ordering information ACE5807B XX + H MN: DFN2*2-6L Pb - free Halogen - free |
Số phần tương tự - ACE5807B |
|
Mô tả tương tự - ACE5807B |
|
|
|
Link URL |
| Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ] |
Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất All Rights Reserved©Alldatasheet.com |
| Russian : Alldatasheetru.com | Korean : Alldatasheet.co.kr | Spanish : Alldatasheet.es | French : Alldatasheet.fr | Italian : Alldatasheetit.com Portuguese : Alldatasheetpt.com | Polish : Alldatasheet.pl | Vietnamese : Alldatasheet.vn Indian : Alldatasheet.in | Mexican : Alldatasheet.com.mx | British : Alldatasheet.co.uk | New Zealand : Alldatasheet.co.nz |
|
Family Site : ic2ic.com |
icmetro.com |