IXKC25N80C pdf, IXKC25N80C Giải thích chi tiết về linh kiện, IXKC25N80C bảng dữ liệu, IXKC25N80C view ::: ALLDATASHEET :::

tên linh kiện	IXKC25N80C

Giải thích chi tiết về linh kiện	N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Electrically Isolated Back Surface

kích thước tập tin	119.19 Kbytes

Html View	1 2 3 4

nhà sản xuất	IXYS [IXYS Corporation]

Trang chủ	http://www.ixys.com

Logo

Số phần tương tự - IXKC25N80C

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
IXYS Corporation	IXKC20N60C	520Kb / 2P	CoolMOS Power MOSFET in ISOPLUS220 Package
Inchange Semiconductor ...	IXKC20N60C	305Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor
IXYS Corporation	IXKC23N60C5	290Kb / 4P	CoolMOS Power MOSFET
Inchange Semiconductor ...	IXKC23N60C5	306Kb / 2P	isc N-Channel MOSFET Transistor

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
IXYS Corporation	IXFR38N80Q2	568Kb / 5P	Electrically Isolated Back Surface
	IXKH30N60C5	112Kb / 4P	CoolMOS Power MOSFET N-Channel Enhancement Mode Low Rdson, High Vdss MOSFET
	IXKH35N60C5	114Kb / 4P	N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, High VDSS MOSFET Ultra low gate charge
	IXUC100N055	575Kb / 2P	Electrically Isolated Back Surface
	IXKC15N60C5	119Kb / 4P	Electrically isolated back surface Electrically isolated back surface
	IXGC16N60B2	92Kb / 2P	Electrically Isolated Back Surface
	DSS20-01AC	121Kb / 4P	Electrically Isolated Back Surface
	DSEE8-06CC	65Kb / 2P	Electrically Isolated Back Surface
	IXKC19N60C5	120Kb / 4P	Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge
	IXKR47N60C5	137Kb / 4P	Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge