ACE636B pdf, ACE636B Giải thích chi tiết về linh kiện, ACE636B bảng dữ liệu, ACE636B view ::: ALLDATASHEET :::

tên linh kiện	ACE636B

Giải thích chi tiết về linh kiện	Common Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect

kích thước tập tin	505.26 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5

nhà sản xuất	ACE [ACE Technology Co., LTD.]

Trang chủ	http://www.ace-ele.com

Logo

Số phần tương tự - ACE636B

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
ACE Technology Co., LTD...	ACE632	1Mb / 11P	The ACE632 is the N- and P-Channel enhancement mode power field effect transistors are produced using high cell density, DMOS trench technology. VER 1.3
	ACE633	1Mb / 10P	60V Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor VER 1.2
	ACE634	1Mb / 9P	20V Complementary Enhancement Mode Field Effect Transistor VER 1.2
	ACE6344B	937Kb / 11P	N and P-Channel Enhancement Mode MOSFET VER 1.1

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Alpha Industries	AO8800	226Kb / 6P	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Alpha & Omega Semicondu...	AO8814	119Kb / 4P	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
	AO8816	111Kb / 4P	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
	AO8830	121Kb / 4P	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
	AON3812	123Kb / 4P	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
	AO8832	219Kb / 4P	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Guangdong Kexin Industr...	KO8822	138Kb / 2P	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
Guangdong Kexin Industr...	SI8822	158Kb / 2P	Common-Drain Dual N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor