BLD6G22L-50 pdf, BLD6G22L-50 Giải thích chi tiết về linh kiện, BLD6G22L-50 bảng dữ liệu, BLD6G22L-50 view ::: ALLDATASHEET :::

tên linh kiện	BLD6G22L-50

Giải thích chi tiết về linh kiện	W-CDMA 2110 MHz to 2170 MHz fully integrated Doherty transistor

kích thước tập tin	195.12 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5 6 7 8 9 Next

nhà sản xuất	NXP [NXP Semiconductors]

Trang chủ	http://www.nxp.com

Logo

Số phần tương tự - BLD6G22L-50

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
NXP Semiconductors	BLD6G22L-50	9Mb / 130P	RF Manual 16th edition June 2012

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Infineon Technologies A...	PTF210301	337Kb / 8P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz 2003-12-22
	PTF210451	406Kb / 8P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 45 W, 2110-2170 MHz 2003-12-22
	PTF210901	266Kb / 8P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz 2004-01-16
	PTF211301	449Kb / 9P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 2110-2170 MHz 2004-01-02
	PTF211802	169Kb / 8P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 180 W, 2110-2170 MHz 2004-02-13
NXP Semiconductors	BLD6G21L-50	129Kb / 14P	TD-SCDMA 2010 MHz to 2025 MHz fully integrated Doherty transistor Rev. 01-28 October 2009
Infineon Technologies A...	PTF210101M	276Kb / 8P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 2110 ??2170 MHz Rev. 02.1, 2009-02-18
Skyworks Solutions Inc.	SKY66184-11	1,001Kb / 14P	2110 to 2170 MHz Linear Power Amplifier
Infineon Technologies A...	PTFB213004F	740Kb / 16P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 300 W, 2110 ??2170 MHz Rev. 05.3, 2016-06-15
WALSIN TECHNOLOGY CORPO...	SF11092140B102T	734Kb / 8P	2110~2170 MHz Band Working Frequency