RBA012N10R1SBPW pdf, RBA012N10R1SBPW Giải thích chi tiết về linh kiện, RBA012N10R1SBPW bảng dữ liệu, RBA012N10R1SBPW view ::: ALLDATASHEET :::

tên linh kiện	RBA012N10R1SBPW

Giải thích chi tiết về linh kiện	100 V - 350 A - 1.2 mΩ - TOLT for Automotive

kích thước tập tin	495.77 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5 6 7 8 9

nhà sản xuất	RENESAS [Renesas Technology Corp]

Trang chủ	http://www.renesas.com

Logo

Số phần tương tự - RBA012N10R1SBPW

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Renesas Technology Corp	RBA011N08R1SBPW	496Kb / 9P	80 V - 360 A - 1.06 mΩ - TOLT for Automotive Oct.15.2025
	RBA013N08R1SBPW	497Kb / 9P	80 V - 340 A - 1.3 mΩ - TOLT for Automotive Oct.15.2025
	RBA013N08R1SBQ4	462Kb / 9P	80 V - 340 A - 1.3 mΩ - TOLL for Automotive Oct.15.2025
	RBA015N10R1SBPW	492Kb / 9P	100 V - 340 A - 1.5 mΩ - TOLT for Automotive Oct.22.2025
	RBA019N10R1SBPW	494Kb / 9P	100 V - 230 A - 1.9 mΩ - TOLT for Automotive Oct.22.2025

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Fairchild Semiconductor	FDC8602	257Kb / 7P	Dual N-Channel PowerTrench짰 MOSFET 100 V, 1.2 A, 350 m廓
Fairchild Semiconductor	FQD7N10LTF	1Mb / 8P	N-Channel QFET MOSFET 100 V, 5.8 A, 350 m
Texas Instruments	LMG1205	1Mb / 24P	100-V, 1.2-A, 5-A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs
Texas Instruments	LM5113-Q1	2Mb / 26P	100-V, 1.2-A, 5-A, Half-Bridge Gate Driver for Enhancement Mode GaN FETs
STMicroelectronics	STH272N6F7-6AG	808Kb / 15P	Automotive-grade N-channel 60 V, 0.95 mΩ typ., 180 A Automotive-grade N-channel 60 V, 0.95 mΩ typ., 180 A 17-Mar-2016
Renesas Technology Corp	RJK1001DPP-A0	439Kb / 7P	N-Channel MOSFET 100 V, 80 A, 5.5 mΩ 2020.1.9
	RJK1002DPN-A0	383Kb / 7P	N-Channel MOSFET 100 V, 70 A, 7.6 mΩ 2020.1.9
	RJK1002DPP-A0	442Kb / 7P	N-Channel MOSFET 100 V, 70 A, 7.6 mΩ 2020.1.9
	RJK1003DPN-A0	380Kb / 7P	N-Channel MOS FET 100 V, 50 A, 11 mΩ 2020.1.9
	RJK1003DPP-A0	442Kb / 7P	N-Channel MOS FET 100 V, 50 A, 11 mΩ 2020.1.9