ATC600F0R5BT250XT pdf, ATC600F0R5BT250XT Giải thích chi tiết về linh kiện, ATC600F0R5BT250XT bảng dữ liệu, ATC600F0R5BT250XT view ::: ALLDATASHEET :::

tên linh kiện	ATC600F0R5BT250XT

Giải thích chi tiết về linh kiện	2110–2170 MHz, 18 W AVG., 28 V AIRFAST RF POWER LDMOS TRANSISTOR

kích thước tập tin	438.23 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5 6 7 8 9 Next

nhà sản xuất	NXP [NXP Semiconductors]

Trang chủ	http://www.nxp.com

Logo

Số phần tương tự - ATC600F0R5BT250XT

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Freescale Semiconductor...	ATC600F0R5BT250XT	722Kb / 17P	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers
NXP Semiconductors	ATC600F0R5BT250XT	784Kb / 17P	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers Rev. 0, 5/2012
NXP Semiconductors	ATC600F0R5BT250XT	673Kb / 18P	RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers Rev. 0, 5/2010

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Infineon Technologies A...	PTF210301	337Kb / 8P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 30 W, 2110-2170 MHz 2003-12-22
	PTF210901	266Kb / 8P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 90 W, 2110-2170 MHz 2004-01-16
	PTF211301	449Kb / 9P	LDMOS RF Power Field Effect Transistor 130 W, 2110-2170 MHz 2004-01-02
	PTFB212507SH	193Kb / 13P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 200 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz Rev. 03, 2015-10-30
	PXAD214218FV	391Kb / 9P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 430 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz Rev. 02.2, 2017-03-30
Cree, Inc	PXAD214218FV	524Kb / 9P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 430 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz
	PTFB210801FA	636Kb / 11P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 80 W, 28 V, 2110 ??2170 MHz
	PTFB213208FV	659Kb / 13P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 320 W, 28 V, 2110 - 2170 MHz
WOLFSPEED, INC.	PXAD214218FV	524Kb / 9P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 430 W, 28 V, 2110 – 2170 MHz Rev. 04, 2023-06-23
WOLFSPEED, INC.	PXFE211507FC	763Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 170 W, 28 V, 2110 – 2170 MHz Rev. 04, 2023-06-28