BIDD05N60T pdf, BIDD05N60T Giải thích chi tiết về linh kiện, BIDD05N60T bảng dữ liệu, BIDD05N60T view ::: ALLDATASHEET :::

tên linh kiện	BIDD05N60T

Giải thích chi tiết về linh kiện	BIDD05N60T Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT)

kích thước tập tin	1485.22 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5 6 7 8 9 Next

nhà sản xuất	BOURNS [Bourns Electronic Solutions]

Trang chủ	http://www.bourns.com

Logo

Số phần tương tự - BIDD05N60T

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Turck, Inc.	BID1.5-G120KK-AP6-H1141	177Kb / 2P	Inductive Sensor – For High Pressures 11/07/2023
	BID2-G180-AP6-H1141/S212	267Kb / 4P	Inductive Sensor – For High Pressures 11/07/2023
	BID2-G180-AP6/S212	220Kb / 3P	Inductive Sensor – For High Pressures 11/07/2023
	BID2-G180-RP6/S212	220Kb / 3P	Inductive Sensor – For High Pressures 11/07/2023
	BID2-G180-Y0-H1141/S212	224Kb / 3P	Inductive Sensor – For High Pressures 11/07/2023

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
NXP Semiconductors	BUK854-800A	60Kb / 7P	Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT October 1994 Rev.1.100
	BUK854-800A	59Kb / 7P	Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT October 1994 Rev.1.100
	BUK856-800A	60Kb / 7P	Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT March 1993 Rev 1.000
	BUK856-800A	60Kb / 7P	Insulated Gate Bipolar Transistor IGBT March 1993 Rev 1.000
ON Semiconductor	NGTB30N60FLWG	182Kb / 10P	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) December, 2012 ??Rev. 0
	NGTB30N60IHLWG	180Kb / 10P	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) November, 2012 ??Rev. 0
	NGTB40N60IHLWG	184Kb / 10P	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) November, 2012 ??Rev. 0
	NGTB50N60FWG	183Kb / 10P	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) December, 2012 ??Rev. 1
	NGTG30N60FLWG	174Kb / 9P	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) January, 2013 ??Rev. 1
	NGTG50N60FWG	176Kb / 9P	Insulated Gate Bipolar Transistor (IGBT) December, 2012 ??Rev. 0