VSI080P06MS pdf, VSI080P06MS Giải thích chi tiết về linh kiện, VSI080P06MS bảng dữ liệu, VSI080P06MS view ::: ALLDATASHEET :::

tên linh kiện	VSI080P06MS

Giải thích chi tiết về linh kiện	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

kích thước tập tin	1222.27 Kbytes

Html View	1 2 3 4

nhà sản xuất	DOINGTER [SHENZHEN DOINGTER SEMICONDUCTOR CO., LTD.]

Trang chủ	http://www.doingter.cn/

Logo

Số phần tương tự - VSI080P06MS

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
SHENZHEN DOINGTER SEMIC...	VSI090N10MS	1Mb / 4P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
SHENZHEN DOINGTER SEMIC...	AM20N06-90D	800Kb / 5P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	AM20N10-115D	4Mb / 4P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	AM40N20-180P	1Mb / 5P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	AM50N03-12D	1Mb / 4P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	AM50N06-15D	2Mb / 5P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	AM70N04-06D	1Mb / 4P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	AM70N15-40P	1Mb / 5P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	AM90N04-03P	1Mb / 5P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	AM4492N	1Mb / 4P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology
	AM4910N	1Mb / 4P	N-Channel MOSFET uses advanced trench technology