MTI200WX75GD pdf, MTI200WX75GD Giải thích chi tiết về linh kiện, MTI200WX75GD bảng dữ liệu, MTI200WX75GD view ::: ALLDATASHEET :::

tên linh kiện	MTI200WX75GD

Giải thích chi tiết về linh kiện	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package

kích thước tập tin	338.97 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5 6 7

nhà sản xuất	IXYS [IXYS Corporation]

Trang chủ	http://www.ixys.com

Logo

Số phần tương tự - MTI200WX75GD

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Xsens Technologies B.V.	MTI-1-8A7G6	1Mb / 24P	3D AHRS/VRU/IMU module Revision A, 8 Jul 2015
	MTI-2-8A7G6-TR20	1Mb / 24P	3D AHRS/VRU/IMU module Revision A, 8 Jul 2015
	MTI-3-8A7G6-DK	1Mb / 24P	3D AHRS/VRU/IMU module Revision A, 8 Jul 2015
	MTI-3-8A7G6-TR20	1Mb / 24P	3D AHRS/VRU/IMU module Revision A, 8 Jul 2015
	MTI-680	303Kb / 1P	Global Navigation Satellite System/Inertial Navigation System (GNSS/INS) with an external RTK GNSS receiver June 2021

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
IXYS Corporation	GWM70-01P2	68Kb / 2P	Three phase full bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package
	GWM120-0075P3	80Kb / 3P	Three phase full bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package
	GMM3X120-0075X2	195Kb / 4P	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package
	GMM3X180-004X2	299Kb / 7P	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package
	GWM100-01X1	324Kb / 6P	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package
	GWM120-0075X1	326Kb / 6P	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package
	GWM180-004X2	322Kb / 6P	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package
	GWM100-01X1-SL	649Kb / 6P	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB isolated high current package
	MTC120WX55GD	207Kb / 4P	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB-isolated high-current package
	MTC120WX75GD	207Kb / 4P	Three phase full Bridge with Trench MOSFETs in DCB-isolated high-current package