PTFC270051M pdf, PTFC270051M Giải thích chi tiết về linh kiện, PTFC270051M bảng dữ liệu, PTFC270051M view ::: ALLDATASHEET :::

tên linh kiện	PTFC270051M

Giải thích chi tiết về linh kiện	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 5 W, 28 V, 900 ??2700 MHz

kích thước tập tin	745.63 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5 6 7 8 9 Next

nhà sản xuất	CREE [Cree, Inc]

Trang chủ	http://www.cree.com/

Logo

Số phần tương tự - PTFC270051M

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Infineon Technologies A...	PTFC270051M	293Kb / 14P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 5 W, 28 V, 900 ??2700 MHz Rev. 01.1, 2016-07-26
Infineon Technologies A...	PTFC270051MV2R1K	293Kb / 14P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 5 W, 28 V, 900 ??2700 MHz Rev. 01.1, 2016-07-26

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Infineon Technologies A...	PXAC243502FV	1Mb / 10P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 350 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz Rev. 03.2, 2016-06-22
	PTFC270101M	410Kb / 22P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 28 V, 900 ??2700 MHz Rev. 04.1, 2016-07-26
	PTFC270051M	293Kb / 14P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 5 W, 28 V, 900 ??2700 MHz Rev. 01.1, 2016-07-26
	PTFA220121M	381Kb / 21P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 12 W, 28 V, 700 ??2200 MHz Rev. 10, 2015-10-23
	PTFA220041M	331Kb / 18P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 4 W, 28 V, 700 ??2200 MHz Rev. 10.1, 2016-06-01
Cree, Inc	PXAC243502FV	543Kb / 10P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 350 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz
	PTFC270101M	970Kb / 22P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 28 V, 900 ??2700 MHz
	PTFA220121M	955Kb / 21P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 12 W, 28 V, 700 ??2200 MHz
	PTFB201402FC	595Kb / 14P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 140 W, 28 V, 2010 - 2025 MHz
WOLFSPEED, INC.	PTFC270101M	933Kb / 22P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 10 W, 28 V, 900 – 2700 MHz Rev. 07, 2023-06-28