PXAC243502FV pdf, PXAC243502FV Giải thích chi tiết về linh kiện, PXAC243502FV bảng dữ liệu, PXAC243502FV view ::: ALLDATASHEET :::

tên linh kiện	PXAC243502FV

Giải thích chi tiết về linh kiện	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 350 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz

kích thước tập tin	543.24 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5 6 7 8 9 Next

nhà sản xuất	CREE [Cree, Inc]

Trang chủ	http://www.cree.com/

Logo

Số phần tương tự - PXAC243502FV

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Infineon Technologies A...	PXAC243502FV	1Mb / 10P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor Rev. 03.1, 2015-04-13
	PXAC243502FVV1R0	1Mb / 10P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 350 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz Rev. 03.2, 2016-06-22
	PXAC243502FVV1R0XTMA1	1Mb / 10P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 350 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz Rev. 03.2, 2016-06-22
	PXAC243502FVV1R250	1Mb / 10P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 350 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz Rev. 03.2, 2016-06-22
	PXAC243502FVV1R250XTMA1	1Mb / 10P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 350 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz Rev. 03.2, 2016-06-22

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Infineon Technologies A...	PTFB241402F	556Kb / 13P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 140 W, 2300 ??2400 MHz Rev. 03, 2010-04-19
	PXAC243502FV	1Mb / 10P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 350 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz Rev. 03.2, 2016-06-22
	PXAC241702FC	1Mb / 10P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz Rev. 02.1, 2016-06-22
	PTFB241402F	810Kb / 13P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 140 W, 2300 ??2400 MHz Rev. 04.1, 2016-06-15
	PTAC240502FC	1Mb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 50 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz Rev. 02.3, 2016-06-21
Cree, Inc	PXAC241702FC	577Kb / 10P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 150 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz
	PTAC240502FC	606Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 50 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz
	PTFC270051M	745Kb / 14P	High Power RF LDMOS Field Effect Transistor 5 W, 28 V, 900 ??2700 MHz
	PXAC241002FC	279Kb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 100 W, 28 V, 2300 ??2400 MHz
WOLFSPEED, INC.	PTAC240502FC_V1	1Mb / 8P	Thermally-Enhanced High Power RF LDMOS FET 50 W, 28 V, 2300 – 2400 MHz Rev. 05, 2023-06-28