MKE11R600DCGFC pdf, MKE11R600DCGFC Giải thích chi tiết về linh kiện, MKE11R600DCGFC bảng dữ liệu, MKE11R600DCGFC view ::: ALLDATASHEET :::

tên linh kiện	MKE11R600DCGFC

Giải thích chi tiết về linh kiện	Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation

kích thước tập tin	260.51 Kbytes

Html View	1 2 3 4 5 6

nhà sản xuất	IXYS [IXYS Corporation]

Trang chủ	http://www.ixys.com

Logo

Số phần tương tự - MKE11R600DCGFC

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Sennheiser electronic S...	MKE1	168Kb / 2P	Clip-On Microphone V1.2
Minmax Technology Co., ...	MKE10-HI	662Kb / 4P	fully regulated output voltage
NXP Semiconductors	MKE12Z128VLF7	1Mb / 84P	Kinetis KE17Z/13Z/12Z with up to 256 KB Flash Rev. 2.1, 02/2022
	MKE12Z128VLF7	1Mb / 87P	Kinetis KE17Z/13Z/12Z with up to 256 KB Flash Rev. 2.2 - December 2025
	MKE12Z128VLH7	1Mb / 82P	Kinetis KE17Z/13Z/12Z with up to 256 KB Flash Rev. 2, 09/2021

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
IXYS Corporation	IXGR24N60C	56Kb / 2P	HiPerFASTTM IGBT ISOPLUS247TM (Electrically Isolated Back Surface)
	IXFR38N80Q2	568Kb / 5P	Electrically Isolated Back Surface
	IXUC100N055	575Kb / 2P	Electrically Isolated Back Surface
	IXGC16N60C2	541Kb / 2P	Electrically Isolated Back Surface
	IXKC15N60C5	119Kb / 4P	Electrically isolated back surface Electrically isolated back surface
	IXGC16N60B2	92Kb / 2P	Electrically Isolated Back Surface
	DSS20-01AC	121Kb / 4P	Electrically Isolated Back Surface
	DSEE8-06CC	65Kb / 2P	Electrically Isolated Back Surface
	IXKC19N60C5	120Kb / 4P	Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge
	IXKR47N60C5	137Kb / 4P	Electrically isolated back surface 2500 V electrical isolation N-Channel Enhancement Mode Low RDSon, high VDSS MOSFET Ultra low gate charge