GT30J324 bảng dữ liệu(PDF) - Toshiba Semiconductor

công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử

ALLDATASHEET.VN

X

GT30J324 bảng dữ liệu (PDF) - Toshiba Semiconductor

GT30J324 Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor


tên linh kiện	GT30J324

tải về	GT30J324 tải về

kích thước tập tin	166.33 Kbytes

Page	7 Pages

nhà sản xuất	TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

Trang chủ	http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng

Logo

Giải thích chi tiết về linh kiện

Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

GT30J324 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page

tải về bảng dữ liệu

GT30J324 Datasheet PDF - Toshiba Semiconductor


tên linh kiện	GT30J324

tải về	GT30J324 Click to download

kích thước tập tin	166.33 Kbytes

Page	7 Pages

nhà sản xuất	TOSHIBA [Toshiba Semiconductor]

Trang chủ	http://www.semicon.toshiba.co.jp/eng

Logo

Giải thích chi tiết về linh kiện	Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

GT30J324 bảng dữ liệu (HTML) - Toshiba Semiconductor

GT30J324 Datasheet HTML 1Page - Toshiba Semiconductor

GT30J324 Datasheet HTML 2Page - Toshiba Semiconductor

GT30J324 Datasheet HTML 3Page - Toshiba Semiconductor

GT30J324 Datasheet HTML 4Page - Toshiba Semiconductor

GT30J324 Datasheet HTML 5Page - Toshiba Semiconductor

GT30J324 Datasheet HTML 6Page - Toshiba Semiconductor

GT30J324 Datasheet HTML 7Page - Toshiba Semiconductor

GT30J324 Thông tin chi tiết sản phẩm

High Power Switching Applications
Fast Switching Applications

• Fourth-generation IGBT
• Enhancement mode type
• Fast switching (FS): Operating frequency up to 50 kHz (reference)
High speed: tf = 0.05 μs (typ.)
Low switching loss : Eon = 1.00 mJ (typ.)
: Eoff = 0.80 mJ (typ.)
• Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.0 V (typ.)
• FRD included between emitter and collector

Số phần tương tự - GT30J324

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Toshiba Semiconductor	GT30J324	190Kb / 7P	Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications
	GT30J324	1Mb / 73P	Bipolar Small-Signal Transistors
	GT30J324	190Kb / 7P	Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications

Mô tả tương tự - GT30J324

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
Toshiba Semiconductor	GT40T301	311Kb / 6P	Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT50G321	287Kb / 6P	TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT
	GT8G132	338Kb / 6P	TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT15Q311	172Kb / 7P	TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT40G121	151Kb / 5P	TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT60M323	193Kb / 6P	TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT80J101B	69Kb / 6P	TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT 05-Jun-2006
	GT40T302	173Kb / 6P	Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT
	GT60M303	426Kb / 6P	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT
	GT60N321	173Kb / 6P	Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

Link URL

Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ]

Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com