STGB30H65DFB2 bảng dữ liệu(PDF) - STMicroelectronics

công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử

ALLDATASHEET.VN

X

STGB30H65DFB2 bảng dữ liệu (PDF) - STMicroelectronics

STGB30H65DFB2 Datasheet PDF - STMicroelectronics


tên linh kiện	STGB30H65DFB2

tải về	STGB30H65DFB2 tải về

kích thước tập tin	650.02 Kbytes

Page	17 Pages

nhà sản xuất	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

Trang chủ	http://www.st.com

Logo

Giải thích chi tiết về linh kiện

Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB2 series IGBT in a D²PAK package

STGB30H65DFB2 Datasheet (PDF)

Go To PDF Page

tải về bảng dữ liệu

STGB30H65DFB2 Datasheet PDF - STMicroelectronics


tên linh kiện	STGB30H65DFB2

tải về	STGB30H65DFB2 Click to download

kích thước tập tin	650.02 Kbytes

Page	17 Pages

nhà sản xuất	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

Trang chủ	http://www.st.com

Logo

Giải thích chi tiết về linh kiện	Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB2 series IGBT in a D²PAK package

STGB30H65DFB2 bảng dữ liệu (HTML) - STMicroelectronics

STGB30H65DFB2 Datasheet HTML 1Page - STMicroelectronics

STGB30H65DFB2 Datasheet HTML 2Page - STMicroelectronics

STGB30H65DFB2 Datasheet HTML 3Page - STMicroelectronics

STGB30H65DFB2 Datasheet HTML 4Page - STMicroelectronics

STGB30H65DFB2 Datasheet HTML 5Page - STMicroelectronics

STGB30H65DFB2 Datasheet HTML 6Page - STMicroelectronics

STGB30H65DFB2 Datasheet HTML 7Page - STMicroelectronics

STGB30H65DFB2 Datasheet HTML 8Page - STMicroelectronics

STGB30H65DFB2 Datasheet HTML 9Page - STMicroelectronics

STGB30H65DFB2 Datasheet HTML 10Page - STMicroelectronics

STGB30H65DFB2 Thông tin chi tiết sản phẩm

Features
• Maximum junction temperature : TJ = 175 °C
• Low VCE(sat) = 1.65 V (typ.) @ IC = 30 A
• Very fast and soft recovery co-packaged diode
• Minimized tail current
• Tight parameter distribution
• Low thermal resistance
• Positive VCE(sat) temperature coefficient

Applications
• Welding
• Power factor correction
• UPS
• Solar inverters
• Chargers

Description
The newest IGBT 650 V HB2 series represents an evolution of the advanced
proprietary trench gate field-stop structure. The performance of the HB2 series is
optimized in terms of conduction, thanks to a better VCE(sat) behavior at low current
values, as well as in terms of reduced switching energy. A very fast soft recovery
diode is co-packaged in antiparallel with the IGBT. The result is a product specifically
designed to maximize efficiency for a wide range of fast applications.

Số phần tương tự - STGB30H65DFB2

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
STMicroelectronics	STGB30H60DF	1Mb / 24P	600 V, 30 A high speed trench gate field-stop IGBT 20-Mar-2013
STMicroelectronics	STGB30H60DFB	1Mb / 21P	Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
Inchange Semiconductor ...	STGB30H60DFB	334Kb / 4P	Trench gate Field-Stop IGBT 2023-10-09
STMicroelectronics	STGB30H60DLFB	1Mb / 20P	Trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed
STMicroelectronics	STGB30H60DLLFBAG	1,009Kb / 17P	Automotive-grade trench gate field-stop IGBT, HB series 600 V, 30 A high speed 18-Oct-2016

Mô tả tương tự - STGB30H65DFB2

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
STMicroelectronics	STGFW30H65FB	1Mb / 20P	Trench gate field-stop IGBT, HB series 650 V, 30 A high speed 28-Jul-2015
ON Semiconductor	FGAF30S65AQ	302Kb / 9P	Field Stop Trench IGBT, 30 A, 650 V June, 2020 - Rev. 2
STMicroelectronics	STGB50H65FB2	450Kb / 16P	Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a D²PAK package 21-May-2020
	STGWA20HP65FB2	373Kb / 15P	Trench gate field-stop, 650 V, 20 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO‑247 long leads package 11-May-2020
	STGWA30H65DFB2	513Kb / 15P	Trench gate field-stop, 650 V, 30 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package 13-Feb-2020
	STGWA40HP65FB2	516Kb / 16P	Trench gate field-stop, 650 V, 40 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package 24-Jul-2019
	STGWA50HP65FB2	542Kb / 15P	Trench gate field-stop, 650 V, 50 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO-247 long leads package 05-Dec-2019
	STGWA75H65DFB2	560Kb / 15P	Trench gate field-stop, 650 V, 75 A, high-speed HB2 series IGBT in a TO‑247 long leads package 13-Feb-2020
	STGB10M65DF2	1Mb / 19P	Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 10 A low-loss in D²PAK package 04-Apr-2017
	STGB15M65DF2	1Mb / 19P	Trench gate field-stop IGBT M series, 650 V, 15 A low-loss in a D²PAK package 04-May-2017

Giới thiệu về STMicroelectronics

STMicroelectronics là một nhà sản xuất điện tử và bán dẫn đa quốc gia có trụ sở tại Geneva, Thụy Sĩ.

Công ty cung cấp một loạt các sản phẩm bao gồm vi điều khiển, cảm biến, bộ khuếch đại công suất và mạch tích hợp cho các ứng dụng khác nhau trong thị trường ô tô, công nghiệp và tiêu dùng.

Được thành lập vào năm 1987, STMicroelectronics có hoạt động tại hơn 100 quốc gia và là một trong những công ty bán dẫn lớn nhất thế giới.

*Thông tin này chỉ dành cho mục đích thông tin chung, chúng tôi sẽ không chịu trách nhiệm cho bất kỳ tổn thất hoặc thiệt hại nào do thông tin trên gây ra.

Link URL

Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ]

Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com