công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử
  Vietnamese  ▼
ALLDATASHEET.VN

X  

Preview PDF HTML

SCT027W65G3-4AG bảng dữ liệu (PDF) - STMicroelectronics
SCT027W65G3-4AG Datasheet PDF - STMicroelectronics
tên linh kiện SCT027W65G3-4AG
tải về  SCT027W65G3-4AG tải về
kích thước tập tin   197.44 Kbytes
Page   12 Pages
nhà sản xuất  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Trang chủ  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Giải thích chi tiết về linh kiện Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mΩ typ., 60 A in an HiP247-4 package

SCT027W65G3-4AG Datasheet (PDF)

Go To PDF Page tải về bảng dữ liệu
SCT027W65G3-4AG Datasheet PDF - STMicroelectronics

tên linh kiện SCT027W65G3-4AG
tải về  SCT027W65G3-4AG Click to download

kích thước tập tin   197.44 Kbytes
Page   12 Pages
nhà sản xuất  STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]
Trang chủ  http://www.st.com
Logo STMICROELECTRONICS - STMicroelectronics
Giải thích chi tiết về linh kiện Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mΩ typ., 60 A in an HiP247-4 package

SCT027W65G3-4AG bảng dữ liệu (HTML) - STMicroelectronics


SCT027W65G3-4AG Thông tin chi tiết sản phẩm

Features
• AEC-Q101 qualified
• Very low RDS(on) over the entire temperature range
• High speed switching performances
• Very fast and robust intrinsic body diode
• Very high operating junction temperature capability (TJ = 200 °C)
• Source sensing pin for increased efficiency

Applications
• Main inverter (electric traction)
• DC/DC converter for EV/HEV
• On board charger (OBC)

Description
This silicon carbide Power MOSFET device has been developed using ST’s
advanced and innovative 3rd generation SiC MOSFET technology. The device
features a very low RDS(on) over the entire temperature range combined with low
capacitances and very high switching operations, which improve application
performance in frequency, energy efficiency, system size and weight reduction.




Số phần tương tự - SCT027W65G3-4AG

nhà sản xuấttên linh kiệnbảng dữ liệuGiải thích chi tiết về linh kiện
logo
Beijing Yaohuadechang E...		 SCT027H YHDC-SCT027H Datasheet
5Mb / 1P		 0.333V Split core current transformer
logo
STMicroelectronics		 SCT027H65G3AG STMICROELECTRONICS-SCT027H65G3AG Datasheet
374Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mΩ typ., 60 A in an H²PAK-7 package
11-Nov-2022
SCT027TO65G3 STMICROELECTRONICS-SCT027TO65G3 Datasheet
1Mb / 15P		 Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 29 mΩ typ., 60 A in a TO-LL package
28-Jan-2025
More results


Mô tả tương tự - SCT027W65G3-4AG

nhà sản xuấttên linh kiệnbảng dữ liệuGiải thích chi tiết về linh kiện
logo
STMicroelectronics		 SCTWA90N65G2V-4 STMICROELECTRONICS-SCTWA90N65G2V-4 Datasheet
239Kb / 13P		 Silicon carbide Power MOSFET 650 V, 18 mΩ typ., 119 A in an HiP247-4 package
25-Nov-2020
SCTW100N65G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW100N65G2AG Datasheet
423Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A,20 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247™ package
21-Nov-2018
SCTW100N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW100N120G2AG Datasheet
217Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A,30 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247 package
23-Jul-2020
SCTW35N65G2VAG STMICROELECTRONICS-SCTW35N65G2VAG Datasheet
206Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
09-Sep-2020
SCTW60N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTW60N120G2AG Datasheet
197Kb / 11P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 A, 45 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package
18-May-2020
SCTWA35N65G2VAG STMICROELECTRONICS-SCTWA35N65G2VAG Datasheet
243Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 long leads package
11-Aug-2020
SCTWA40N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTWA40N120G2AG Datasheet
257Kb / 12P		 Automotive‑grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mΩ typ., 33 A in an HiP247 long leads package
22-Nov-2021
SCTWA60N120G2AG STMICROELECTRONICS-SCTWA60N120G2AG Datasheet
242Kb / 12P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mΩ typ., 52 A in an HiP247 long leads package
16-Dec-2020
SCT10N120AG STMICROELECTRONICS-SCT10N120AG Datasheet
238Kb / 14P		 Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mΩ (typ., TJ = 150 °C) in an HiP247 package
21-Sep-2022
More results




Giới thiệu về STMicroelectronics

STMicroelectronics là một nhà sản xuất điện tử và bán dẫn đa quốc gia có trụ sở tại Geneva, Thụy Sĩ.

Công ty cung cấp một loạt các sản phẩm bao gồm vi điều khiển, cảm biến, bộ khuếch đại công suất và mạch tích hợp cho các ứng dụng khác nhau trong thị trường ô tô, công nghiệp và tiêu dùng.

Được thành lập vào năm 1987, STMicroelectronics có hoạt động tại hơn 100 quốc gia và là một trong những công ty bán dẫn lớn nhất thế giới.

*Thông tin này chỉ dành cho mục đích thông tin chung, chúng tôi sẽ không chịu trách nhiệm cho bất kỳ tổn thất hoặc thiệt hại nào do thông tin trên gây ra.




Link URL



Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không?  [ DONATE ] 

Alldatasheet là   |   Quảng cáo   |   Liên lạc với chúng tôi   |   Chính sách bảo mật   |   Liên kết đến bảng dữ liệu    |   Trao đổi link   |   Tìm kiếm theo nhà sản xuất
All Rights Reserved©Alldatasheet.com


Mirror Sites
English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz
Family Site : ic2ic.com  |   icmetro.com