SCT20N120AG bảng dữ liệu(PDF) - STMicroelectronics

công cụ tìm kiếm bảng dữ liệu linh kiện điện tử

ALLDATASHEET.VN

X

SCT20N120AG bảng dữ liệu (PDF) - STMicroelectronics

SCT20N120AG Datasheet PDF - STMicroelectronics


tên linh kiện	SCT20N120AG

tải về	SCT20N120AG tải về

kích thước tập tin	487.52 Kbytes

Page	13 Pages

nhà sản xuất	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

Trang chủ	http://www.st.com

Logo

Giải thích chi tiết về linh kiện

Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mΩ (typ., TJ=150 °C), in an HiP247 package

SCT20N120AG Datasheet (PDF)

Go To PDF Page

tải về bảng dữ liệu

SCT20N120AG Datasheet PDF - STMicroelectronics


tên linh kiện	SCT20N120AG

tải về	SCT20N120AG Click to download

kích thước tập tin	487.52 Kbytes

Page	13 Pages

nhà sản xuất	STMICROELECTRONICS [STMicroelectronics]

Trang chủ	http://www.st.com

Logo

Giải thích chi tiết về linh kiện	Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mΩ (typ., TJ=150 °C), in an HiP247 package

SCT20N120AG bảng dữ liệu (HTML) - STMicroelectronics

SCT20N120AG Datasheet HTML 1Page - STMicroelectronics

SCT20N120AG Datasheet HTML 2Page - STMicroelectronics

SCT20N120AG Datasheet HTML 3Page - STMicroelectronics

SCT20N120AG Datasheet HTML 4Page - STMicroelectronics

SCT20N120AG Datasheet HTML 5Page - STMicroelectronics

SCT20N120AG Datasheet HTML 6Page - STMicroelectronics

SCT20N120AG Datasheet HTML 7Page - STMicroelectronics

SCT20N120AG Datasheet HTML 8Page - STMicroelectronics

SCT20N120AG Datasheet HTML 9Page - STMicroelectronics

SCT20N120AG Datasheet HTML 10Page - STMicroelectronics

SCT20N120AG Thông tin chi tiết sản phẩm

Description
This silicon carbide Power MOSFET is produced exploiting the advanced, innovative properties of wide bandgap materials. This results in unsurpassed on-resistance per unit area and very good switching performance almost independent of temperature. The outstanding thermal properties of the SiC material, combined with the device’s housing in the proprietary HiP247™ package, allows designers to use an industrystandard outline with significantly improved thermal capability. These features render the device perfectly suitable for high-efficiency and high power density applications. Product status link SCT20N120AG Product summary

Features
■ AEC-Q101 qualified
■ Very tight variation of on-resistance vs. temperature
■ Very high operating temperature capability (TJ = 200 °C)
■ Very fast and robust intrinsic body diode
■ Low capacitance

Applications
■ Motor drives
■ EV chargers
■ High voltage DC-DC converters
■ Switch mode power supplies

Số phần tương tự - SCT20N120AG

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
STMicroelectronics	SCT20N120	499Kb / 13P	Very high operating temperature capability 17-Dec-2015
Inchange Semiconductor ...	SCT20N120H	369Kb / 2P	SiC N-Channel MOSFET
STMicroelectronics	SCT20N120H	686Kb / 16P	Silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 20 A, 189 mΩ (typ., TJ=150 °C), in an H²PAK-2 package 13-Dec-2019

Mô tả tương tự - SCT20N120AG

nhà sản xuất	tên linh kiện	bảng dữ liệu	Giải thích chi tiết về linh kiện
STMicroelectronics	SCTW100N65G2AG	423Kb / 11P	Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 100 A,20 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247™ package 21-Nov-2018
	SCTW100N120G2AG	217Kb / 11P	Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 A,30 mΩ (typ., TJ=25 °C), in an HiP247 package 23-Jul-2020
	SCTW35N65G2VAG	206Kb / 12P	Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package 09-Sep-2020
	SCTW60N120G2AG	197Kb / 11P	Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 52 A, 45 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 package 18-May-2020
	SCTWA35N65G2VAG	243Kb / 12P	Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 650 V, 45 A, 55 mΩ (typ., TJ = 25 °C) in an HiP247 long leads package 11-Aug-2020
	SCTWA40N120G2AG	257Kb / 12P	Automotive‑grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 75 mΩ typ., 33 A in an HiP247 long leads package 22-Nov-2021
	SCTWA60N120G2AG	242Kb / 12P	Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 45 mΩ typ., 52 A in an HiP247 long leads package 16-Dec-2020
	SCT10N120AG	238Kb / 14P	Automotive-grade silicon carbide Power MOSFET 1200 V, 12 A, 520 mΩ (typ., TJ = 150 °C) in an HiP247 package 21-Sep-2022

Giới thiệu về STMicroelectronics

STMicroelectronics là một nhà sản xuất điện tử và bán dẫn đa quốc gia có trụ sở tại Geneva, Thụy Sĩ.

Công ty cung cấp một loạt các sản phẩm bao gồm vi điều khiển, cảm biến, bộ khuếch đại công suất và mạch tích hợp cho các ứng dụng khác nhau trong thị trường ô tô, công nghiệp và tiêu dùng.

Được thành lập vào năm 1987, STMicroelectronics có hoạt động tại hơn 100 quốc gia và là một trong những công ty bán dẫn lớn nhất thế giới.

*Thông tin này chỉ dành cho mục đích thông tin chung, chúng tôi sẽ không chịu trách nhiệm cho bất kỳ tổn thất hoặc thiệt hại nào do thông tin trên gây ra.

Link URL

Cho đến nay ALLDATASHEET có giúp ích cho doanh nghiệp của bạn hay không? [ DONATE ]

Alldatasheet là | Quảng cáo | Liên lạc với chúng tôi | Chính sách bảo mật | Liên kết đến bảng dữ liệu | Trao đổi link | Tìm kiếm theo nhà sản xuất
All Rights Reserved©Alldatasheet.com

Mirror Sites English : Alldatasheet.com  |   English : Alldatasheet.net  |   Chinese : Alldatasheetcn.com  |   German : Alldatasheetde.com  |   Japanese : Alldatasheet.jp
Russian : Alldatasheetru.com  |   Korean : Alldatasheet.co.kr  |   Spanish : Alldatasheet.es  |   French : Alldatasheet.fr  |   Italian : Alldatasheetit.com
Portuguese : Alldatasheetpt.com  |   Polish : Alldatasheet.pl  |   Vietnamese : Alldatasheet.vn
Indian : Alldatasheet.in  |   Mexican : Alldatasheet.com.mx  |   British : Alldatasheet.co.uk  |   New Zealand : Alldatasheet.co.nz

Family Site : ic2ic.com | icmetro.com